特許

J-GLOBAL ID：200903059582510075

SiGeオンインシュレータ基板材料及びその製造方法

発明者： スティーヴン・ダブリュー・ベデル ,  キース・イー・フォーゲル ,  デヴェンドラ・ケイ・サダナ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-274987
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040122
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】 向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する緩和されたSiGeオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。 【解決手段】 方法が、第1の単結晶Si層の表面上にSiGe合金層を形成するステップを含む。第1の単結晶Si層は、Ge拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第1の単結晶Si層およびSiGe層を通るGeの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のSiGe層を形成する。改善された性質を有するSiGeオンインシュレータ、およびそれを含むヘテロ構造も提供される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SiGeオンインシュレータ基板材料を製造するための方法であって、 第1の単結晶Si層の表面上に、x=0、または1未満の数としてSixGe1-x層を形成するステップであって、前記第1の単結晶Si層が、Ge拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有するステップと、 前記界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を前記層内に形成することができるイオンを注入するステップと、 層内での歪の緩和を可能し、かつその後、前記第1の単結晶Si層および前記SixGe1-x層を通るGeの相互拡散を可能にする温度で前記層を加熱して、前記障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶SiGe層を形成するステップと を含む方法。

IPC (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/161

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/163 ,  H01L21/265 Q

Fターム (18件)：

5F052AA04 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB06 ,  5F052EA02 ,  5F052EA05 ,  5F052GC01 ,  5F052GC03 ,  5F052HA04 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298439   出願人：株式会社東芝