分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131767
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299772
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】得られるレーザ光の波長単一性が向上した分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【構成】活性層であるInGaAsP層2の上部に配設される上クラッド層を該InGaAsP層2の上面に配設したn型InP層3と、該n型InP層3の上面に配設したInGaAsP層2とバンドギャップエネルギー(波長1.3μmに相当)が等しく、且つp型領域(InGaAsP層4)とn型領域(InGaAsP層4a)とが交互に周期的に形成されたInGaAsP層と、該InGaAsP層の上面に配設したn型InP層3aとから構成する。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層の上下に配設された該活性層より小さい屈折率を有するクラッド層とを備え、該活性層から上クラッド層内にしみ出た光のうち、特定波長の光のみを増幅して単一波長のレーザ光を放出する分布帰還型半導体レーザであって、上記上クラッド層内に、上記活性層の放出する光エネルギーと同一またはそれよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、且つ、互いに光の吸収損失係数が異なる第1,第2の半導体領域が交互に周期的に配置された半導体層が設けられ、これら第1,第2の半導体領域にて生ずる実効的な利得の周期により、上記活性層から上記上クラッド層内にしみ出た光の内、特定波長の光のみが帰還を受けて増幅されることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

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