特許

J-GLOBAL ID：200903059592201933

研磨組成物および研磨方法

発明者： 伊藤 祐司 ,  西岡 綾子 ,  魚谷 信夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-330433
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167231
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 ディッシング、エロージョンを抑制し金属膜の平坦性を維持したまま高速に研磨できる研磨組成物を提供すると共にこの研磨組成物を用いた金属膜の研磨方法、およびこの研磨組成物で平坦化する工程を含む基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 凹部2を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜5を平坦化するための研磨組成物であって、前記研磨組成物は水、分子中に炭素数6以上のアルキル基を有するリン酸エステル及び前記金属のエッチング剤を含有し、pHが5〜11であることを特徴とする研磨組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜を平坦化するための研磨組成物であって、前記研磨組成物は水、分子中に炭素数6以上のアルキル基を有するリン酸エステル及び前記金属のエッチング剤を含有し、pHが5〜11であることを特徴とする研磨組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (7件)：

H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝
• 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135038   出願人：株式会社東芝
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266511   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

審査官引用 (3件)

• 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-023316   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-352885   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-358551   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド