特許

J-GLOBAL ID：200903059601062070

半導体デバイス製造におけるパターン転写方法

発明者： 松村 英樹 ,  寺野 稔 ,  新田 晃平 ,  木田 健一郎
出願人/特許権者： 株式会社石川製作所 ,  松村 英樹
代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243369
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100625
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 凹凸パターンが形成された型をレジスト膜にプレスして行うパターン転写において、プレス後のレジスト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチングによって実現する。【解決手段】 凹凸型3をプレスした後のレジスト膜2を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。あるいは、プレス時の型3の過熱温度をレジスト膜2の熱劣化温度に設定して型3をプレスすることにより、レジスト膜2を選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

基板上への回路パターンの転写に際し、基板上に形成された高分子材料のレジスト膜に凹凸を有する凹凸型をプレスして行う半導体デバイス製造におけるパターン転写において、凹凸型のプレスによって形成されたレジスト膜の凸パターン部分と凹パターン部分に紫外線照射させて、レジスト膜に変性部と非変性部を選択的に形成すること特徴とする半導体デバイス製造におけるパターン転写方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/02 ,  G03F 1/08

FI (4件)：

G03F 1/02 ,  G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (5件)：

2H095BA07 ,  2H095BA12 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  5F046MA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜パターン製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270458   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-004264
  
• 凸型パターンを有するスタンパーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092993   出願人：株式会社ニコン
• 特開平4-127158