特許
J-GLOBAL ID：200903059607358184
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279434
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121570
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【構成】下層配線2の凹部6上に層間絶縁膜より発生する残留気体を放出する開口部7を有している。【効果】開口部より層間絶縁膜内の残留気体を放出できるため、半導体装置の歩留りが向上し、スイッチングスピードの遅れや誤動作が生じなくなる。
請求項（抜粋）：
凹部が形成された半導体基板上に塗布膜を中間層とする三層構造の層間絶縁膜を有する半導体装置において、凹部における前記層間絶縁膜を構成する上層絶縁膜には、前記塗布膜より発生する気体を放出するための開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
