特許

J-GLOBAL ID：200903059609639784

微小立体構造物形成方法

発明者： 石田 真彦 ,  藤田 淳一 ,  落合 幸徳 ,  皆藤 孝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (2件)： 後藤 洋介 ,  池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086274
公開番号（公開出願番号）：特開2004-291140
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】タングステン含有の微細三次元構造物の加工精度、材料特質を向上する。【解決手段】タングステンヘキサカルボニルを含む原料ガスをガスノズル1から基板2に吹き付け、そこへイオンビーム3を照射し、基板2上に原料ガスの分解生成物からなる微小立体構造物4を局所的に生成・堆積する。さらに生成した微小立体構造物4の側壁部をイオンビーム3によってエッチングし、側壁の突起を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原料ガスの雰囲気中に置いた物体にイオンビームを照射することで、該物体上に原料ガスの分解生成物からなる微小立体構造物を局所的に生成、堆積する工程を含む微小立体構造物形成方法であって、前記物体上に生成、堆積した前記微小立体構造物の特定の部位をイオンビームによりエッチングするエッチング工程を有することを特徴とする微小立体構造物形成方法。

IPC (2件)：

B81C5/00 ,  B23K15/00

FI (2件)：

B81C5/00 ,  B23K15/00 508

Fターム (2件)：

4E066BA13 ,  4E066CB15

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平2-061066
  
• 特開平2-301545
  
• 磁歪薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-208127   出願人：学校法人東海大学
• 特開平4-292802
  
• ガリウムイオン源及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178317   出願人：電気化学工業株式会社
• 特開平4-212489
  

審査官引用 (1件)

• 特開平2-061066