基板処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049040
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252274
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】溶液が塗布された基板を溶液の反応についての触媒蒸気を含む処理流体雰囲気中で反応処理する時、溶液の反応を均一的に促進させる。【解決手段】基板処理方法として以下の工程で処理を行う。溶液が塗布された基板Wは予め真空ポンプ38により第1の設定値に減圧された処理チャンバ40に収容される。次に混合処理流体生成部30で生成された混合ガス蒸気は処理チャンバ40内の圧力値が第2の設定値に到達するまで導入され、基板Wの周辺に混合ガス蒸気の雰囲気を形成して前記溶液の反応を促進させる。この反応工程は混合ガス蒸気の静止雰囲気の状態で所定時間放置される。その期間中、処理チャンバ40内は第2の設定値である圧力に維持される。

請求項（抜粋）：

所定の溶液が塗布された基板の周辺に溶液の反応についての触媒の蒸気を含む処理流体の雰囲気を形成して前記溶液の反応を促進させる基板処理方法であって、前記基板を処理室に収容する工程と、前記処理室内の雰囲気を排気する吸引手段を有し、この吸引手段により前記処理室内を減圧する工程と、該減圧された処理室に処理流体を導入し、処理室内の圧力値を監視することにより処理流体の導入量を制御する工程と、前記処理室内への処理流体の導入完了後、基板を前記処理流体雰囲気中で溶液が反応する期間放置する反応工程と、該反応工程の終了の後、基板を処理室内より取り出す工程と、より成ることを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , B05D 3/04

FI (3件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , B05D 3/04 B

Fターム (16件)：

4D075AC64 , 4D075BB56Y , 4D075BB56Z , 4D075BB57Y , 4D075BB57Z , 4D075DC22 , 5F058BA06 , 5F058BF30 , 5F058BF46 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BG10 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03

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