特許
J-GLOBAL ID：200903059618841391
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055380
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 動作が安定し誤動作も抑えられて信頼性が高く、半導体集積回路チップの中央部に位置する能動素子への接続配線やその中央部に設置された電源系I/Oパッドへの電源系配線の接続が容易で、しかも半導体集積回路装置自身においてEMIを防ぐことを可能とした半導体集積回路装置を提供する。【構成】 複数の配線層を有する半導体集積回路装置において、第1の信号配線層4、第1の絶縁層5、第2の信号配線層6、第2の絶縁層7を有する積層構造8の上層にほぼ 1層全面にわたって電源配線層9が形成され、さらにその上層にほぼ 1層全面にわたって接地配線層11が配設され、これにより電源系配線のインダクタンスを小さくするとともに、これがバイパスコンデンサとして機能して電源系配線のノイズを抑制し、またチップ内部から発生するEMIを防ぐ。
請求項（抜粋）：
複数の配線層を有する半導体集積回路装置において、前記複数の配線層のうち少なくとも 1層に略全面にわたって電源配線層が形成され、前記電源配線層以外の少なくとも 1層に略全面にわたって接地配線層が形成されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
H01L 21/82 L
, H01L 21/88 A
