特許

J-GLOBAL ID：200903059620819107

レジスト除去方法

発明者： 菖蒲 悟司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141112
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331916
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハから表面硬化層を有するレジストを除去するに際し、ポッピングを発生させず、かつレジストを効率的に除去し得るレジスト除去方法を提供すること。【解決手段】 面摩擦装置10の固定テーブル11に半導体ウェーハ15をそのレジスト18の表面硬化層18hが上側になるように固定し、上方の回転ヘッド12には粗面シリコン基板14の粗面14rが下向きになるように取り付けて、表面硬化層18hに粗面シリコン基板14の粗面14rを重ね回転させて面同志を擦り合わせ、レジスト18の表面硬化層18hの全面に小穴19を形成させる。次いでアッシング装置40の真空槽41内で250°Cに加温し、酸素ガスのプラズマによって高分子からなるレジスト18をアッシングして除去する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上に形成され表面硬化層を有するレジストを酸素ガスのプラズマによってアッシングを施すレジスト除去方法において、第1ステップで前記表面硬化層を物理的に部分破壊して小穴を形成させ、第2ステップで前記アッシングを施すことを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621

FI (4件)：

H01L 21/30 572 A ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/302 H

Fターム (14件)：

2H096LA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB21 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA02 ,  5F004FA06 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18