薄膜半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289553
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】例えば、高分子材料製の基材など、半導体材料と比較して、耐熱性が大幅に劣る材料を利用する部材に対しては、加熱に伴う温度上昇を実質的に起こさず、半導体薄膜を選択的に加熱処理を行うことができる新規な手段を採用する薄膜半導体素子の製造方法の提供。【解決手段】低温で作製された半導体薄膜の電気的特性を向上する目的で実施する加熱処理工程を、半導体薄膜の所定の領域に対して、選択的に加熱をする手法として、時間幅を10ミリ秒以下として、パルス的にエネルギーを投入する過程と、それに続く、エネルギー投入休止過程とを、交互に繰り返し行う工程として実施する。

請求項（抜粋）：

主成分としてシリコンを含有する半導体薄膜層を少なくとも1層以上有し、前記半導体薄膜層を動作領域に利用する薄膜半導体素子を製造する方法であって、非半導体材料からなる基材上に、前記主成分としてシリコンを含有する半導体薄膜層を気相成長法により堆積する工程と、堆積された前記半導体薄膜層に対して、加熱処理を施す工程とを有し、かかる加熱処理工程では、(1)前記半導体薄膜層の選択される領域に対して、直接に、非接触手段を用いて、パルス状のエネルギー供給を行い、前記選択される領域内で、供給されたエネルギーを熱的エネルギーに変換して、温度上昇を行なう、パルス状のエネルギー投入過程、(2)前記パルス状のエネルギー投入過程後、半導体薄膜層の前記選択される領域への直接的なエネルギー投入が休止される、エネルギー投入休止過程、かかる二つの過程を相互に繰り返して、間欠的に半導体薄膜層の前記選択される領域の加熱を行い、前記(1)のパルス状のエネルギー投入過程の時間を10ミリ秒以下の範囲に選択し、その間にパルス状に供給されるエネルギーから変換される熱的エネルギーの総量を、前記選択される領域を占める半導体薄膜材料の温度を、供給開始前の温度から所定の熱処理温度まで上昇させるに必要とする熱量に選択し、また、前記(2)のエネルギー投入休止過程の時間を、前記熱量を熱伝導により拡散・排出して、前記選択される領域を占める半導体薄膜材料の温度が、前記供給開始前の温度と実質的に等しい温度に降下するに要する時間以上に選択することを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/04

FI (7件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/268 Z , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G , H01L 31/04 V

Fターム (38件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA07 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051BA15 , 5F051CA15 , 5F051CA16 , 5F051CA19 , 5F051CA32 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA22 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DB01 , 5F052JA09 , 5F110AA17 , 5F110DD01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP40

引用特許：

審査官引用 (5件)

レーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-191938 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
パルス状の急速な熱アニーリングによる多結晶シリコンの成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187103 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レーザ熱処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-229370 出願人：株式会社東芝

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