特許

J-GLOBAL ID：200903059629430768

液晶表示装置の製造における有機膜のホールの形成方法

発明者： キム、ジォン-ヒュン ,  金 雄権 ,  朴 星一 ,  林 京男 ,  李 厚永
出願人/特許権者： エルジー電子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-200917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096960
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 液晶表示装置の製造における有機物質を有している装置のエッチング方法において、従来の技術の制限と欠点に対する問題点を解決する。【解決方法】 多層構造にホールを形成する方法において、有機膜を形成する工程と、有機膜上に無機膜を形成する工程と、無機膜上にフォトレジスト43,143を塗布して、所定のパターンを形成する工程と、ホールを形成するためのフォトレジストパターンのオープンされた部分に対応して、SF6/O2又はCF4/O2ガスで無機膜と有機膜をエッチングし、同時に前記O2ガスによってフォトレジスト43,143をアシングする工程を含む。

請求項（抜粋）：

液晶表示装置の基板上の有機膜にホールを形成する方法において、(a)前記有機膜上に絶縁膜を形成する工程と、(b)前記絶縁膜上にフォトレジスト層を形成して、前記フォトレジスト層の一部をオープンしてパターン化する工程と、(c)前記フォトレジスト層と、前記有機膜と、前記絶縁膜を含む前記基板を前記フォトレジスト層のオープンされた部分と対応する有機膜部分の底部までエッチングされるように、少なくとも一つ以上のエッチングガスに露出させて、前記絶縁膜に対するエッチングガスのエッチング選択比は前記有機膜に対するエッチングガスのエッチング選択比より小さく、前記ホールを形成するために前記フォトレジスト層のオープンされた部分と対応する部分の前記有機膜の底部までエッチングされた際に前記フォトレジストのパターンと対応する絶縁膜が一部厚さ程度残るようにする工程を含むことを特徴とする形成方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 332

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 332 A