特許

J-GLOBAL ID：200903059629526544

半導体装置の製造方法

発明者： 奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-218891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051115
出願日： 1986年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体基板の素子への熱影響を軽減でき、拡散層の再拡散等を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 球状のAuからなる導電性連結粒を形成する工程と、支持基板上の所望位置に前記連結粒を複数個配列、固定する工程と、半導体素子が少なくとも形成され、かつ表面にパッドが形成された半導体基板を前記支持基板上にその連結粒と該半導体基板のパッドとが合致するように配置する工程と、前記連結粒を前記半導体基板のパッドに前記連結粒および前記パッドを溶融させることなく圧接させ、パッド側に移行させる工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Auからなる球状の導電性連結粒を形成する工程と、支持基板上の所望位置に前記連結粒を複数個配列、固定する工程と、半導体素子が少なくとも形成され、かつ表面にパッドが形成された半導体基板を前記支持基板上にその連結粒と該半導体基板のパッドとが合致するように配置する工程と、前記連結粒を前記半導体基板のパッドに前記連結粒および前記パッドを溶融させることなく圧接させ、パッド側に移行させる工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603 ,  H01L 27/00 301

FI (2件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/92 604 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-170246
  
• 特開昭52-140269