特許
J-GLOBAL ID：200903059629741739
GaN系の半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261031
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 発光効率の高いGaN系の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上にGaN系の半導体層の形成を容易にするバッファー層、AlGaNからなる第1の層、Ti、Zr、Hf、若しくはTa、又は、それらの2種以上の金属の窒化物からなる反射層を設け、その上にInGaN等、GaN系半導体からなる発光層を設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、バッファ層と、AlXGa1-XN(0≦X≦1)からなる第1の層と、金属窒化物からなる反射層と、InYGa1-YN(0≦Y≦1)からなる発光層と、が順次連続して積層された構造を備えてなるGaN系の半導体発光素子。
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041CA02
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA85
