光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063778
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275914
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】歪量子井戸層を有する半導体レーザや半導体光増幅器などの光半導体装置に関し、歪量子井戸のポテンシャルエネルギーを深くし、さらに温度特性も向上すること。【構成】3元の混晶の半導体結晶からなる基板1と、前記基板1の上に形成される歪量子井戸構造2,3,4の活性部とを含む。

請求項（抜粋）：