特許

J-GLOBAL ID：200903059635316110

フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置およびフォトマスク

発明者： 小倉 章裕 ,  郡司 剛彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385206
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189279
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 近接効果の影響を補正して、マスク内での線幅ばらつきおよび各マスク間の線幅ばらつきを低減させ、マスク製造に要する時間の短縮が可能なフォトマスクの製造方法の実現を課題とする。【解決手段】 マスクデバイス領域を所定の大きさの領域に分割し、分割された領域ごとにパターン面積率を算出し、算出された各領域ごとのパターン面積率を、あらかじめ設定した目標パターン面積率と比較して目標よりも小さなパターン面積率の領域を抽出し、こうして抽出された領域に対してそのパターンが存在しない余白部分に目標パターン面積率になるように疑似パターンを生成して疑似パターン付きマスクを作成し、最後にこの疑似パターン付きマスクから疑似パターンを除去してフォトマスクを製造する。

請求項（抜粋）：

マスクデバイス領域を所定の大きさの領域に分割する分割工程と、この分割工程で分割された領域ごとにパターン面積率を算出する面積率算出工程と、目標となるパターン面積率を設定する目標面積率設定工程と、この目標面積率設定工程で設定された目標となるパターン面積率と前記面積率算出工程で算出された各領域ごとのパターン面積率を比較して目標となるパターン面積率よりも小さなパターン面積率を有する領域を抽出する未満面積率領域抽出工程と、この未満面積率領域抽出工程で抽出された領域に対してそのパターンが存在しない余白部分に前記目標となるパターン面積率になるように疑似パターンを生成する疑似パターン生成工程と、この疑似パターン生成工程で生成した疑似パターンと本来のデバイスパターンとを用いて疑似パターン付きマスクを作成する疑似パターン付きマスク作成工程と、この疑似パターン付きマスク作成工程で作成された疑似パターン付きマスクに前記パターンが存在しない余白部分を重ねて疑似パターンを除去する疑似パターン除去工程とを有することを特徴とするフォトマスク製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (7件)：

2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  5F056AA01 ,  5F056CA04 ,  5F056CA05 ,  5F056CD13 ,  5F056FA08