特許

J-GLOBAL ID：200903059639807517

半導体装置とその製法

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347410
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 拡散層幅が縮小しても電極との接触抵抗の増大を来さない、新しい拡散層構造とその製法を提供する。【構成】 半導体基板にMIS形トランジスタを形成するに際し、上記半導体基板表面の上記MIS形トランジスタのソースあるいはドレイン等の不純物の拡散層を形成すべき部分の、少なくとも一部分以上に溝を形成し、該溝の側壁面に不純物を含有した半導体層を形成する。【効果】 小面積をもって所望の低抵抗値の拡散層をシリコン基板に設ける事ができ、したがって、この種の拡散層を組み込んだLSIは、高速でかつ高集積度にできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にMIS形トランジスタを形成するに際し、上記半導体基板表面の上記MIS形トランジスタのソースあるいはドレイン等の不純物の拡散層を形成すべき部分の、少なくとも一部分以上に溝を形成し、該溝の側壁面に不純物を含有した半導体層を形成した事を特徴とした半導体装置。