特許

J-GLOBAL ID：200903059642280775

バンプの形成方法

発明者： 永福 秀喜 ,  境 忠彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330308
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 ワークの電極の表面に生じた酸化膜によるバンプと電極の接着不良や導通不良を解消でき、またコストダウンを図れるバンプの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 チップ12の電極13上にスクリーンマスク23やスキージ25aにより銀ペースト14を塗布する。次にチップ12を超音波振動させて、電極13の表面の酸化膜を破壊し、電極13の新鮮面を露出させる。続いてキュアを行ってバンプ14a完成させる。バンプ14aは電極13の新鮮面に接触しており、導通性を十分に確保できる。またスクリーン印刷手段を用いて作業性よくバンプ14aを形成できる。

請求項（抜粋）：

ワークの電極上にバンプの素材を設ける工程と、この電極の表面の酸化膜を破壊する工程と、を含むことを特徴とするバンプの形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 604 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-090529
  
• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291679   出願人：ローム株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156606   出願人：日本電気株式会社