特許

J-GLOBAL ID：200903059648374461

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 誠
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176364
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021091
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】レジスト剥離時の残留硫黄成分の除去し、これにより、ゲート膜の高信頼性が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】MOSLSIを製造する工程において、ゲート膜形成後、イオン打ち込みを行った後に硫酸過水によるレジスト剥離を行う工程と、上部ゲート電極膜を形成する工程との間にH2アニール処理またはH2プラズマ処理を行う。【効果】従来レジスト剥離時の残留硫黄成分を水洗のみで取り除いていたものを、さらに、H2アニールもしくはH2プラズマ処理を行うことにより残留硫黄成分の除去を確実にすることによりゲート膜の信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：

MOSLSIを製造する工程において、ゲート酸化膜形成後、イオン打ち込みを行った後に硫酸過水によるレジスト剥離を行う工程と、上部ゲート電極膜を形成する工程との間にH2アニール処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/30 361 R ,  H01L 21/30 361 Q