特許

J-GLOBAL ID：200903059652999921

カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 星 文之 ,  石倉 威文 ,  湯村 守雄 ,  藤原 修三 ,  古賀 義紀
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  東京瓦斯株式会社
代理人 (2件)： 池浦 敏明 ,  池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069643
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 500〜850°C程度の低い温度及び10-4〜10-1Paという低い圧力の条件下において、電界を印加することなく高品質のカーボンナノチューブを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 10-4〜10-1Paの圧力に保持され、かつマイクロ波が導入され、さらに該マイクロ波に磁場が印加されているプラズマ発生室内に含炭素材料の気体を導入して、該含炭素材料の電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるとともに、該プラズマを500〜850°Cの温度に保持された基板と接触させ、該基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

請求項（抜粋）：

10-4〜10-1Paの圧力に保持され、かつマイクロ波が導入され、さらに該マイクロ波に磁場が印加されているプラズマ発生室内に含炭素材料の気体を導入して、該含炭素材料の電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させるとともに、該ガスプラズマを500〜850°Cの温度に保持された基板と接触させ、該基板上にカーボンナノチューブを垂直方向に堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (5件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 C

Fターム (17件)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA02 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10