特許

J-GLOBAL ID：200903059656854570

再生処理されたホウ素吸着用イオン交換塔及びその管理方法

発明者： 早川 智 ,  木谷 仁紀
出願人/特許権者： 日本電工株式会社
代理人 (1件)： 白木 大太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032567
公開番号（公開出願番号）：特開2002-233869
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：

【要約】【課題】 4級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂を用いてホウ素の吸着-再生を繰り返すときに起こるイオン交換塔の管理上の問題を解決し、ホウ素吸着能力が所定値に管理されているイオン交換塔及びその管理方法を提案する。【解決手段】 ホウ素吸着用イオン交換塔を実中性塩分解能力が所定値以上の4級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂が充填されているものとする。好ましくは、実中性塩分解能力が0.5eq/l-R以上とする。

請求項（抜粋）：

実中性塩分解能力が所定値以上の4級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂が充填されていることを特徴とする再生処理されたホウ素吸着用イオン交換塔。

IPC (2件)：

C02F 1/42 ,  B01J 49/00

FI (2件)：

C02F 1/42 E ,  B01J 49/00 G

Fターム (8件)：

4D025AA09 ,  4D025AB05 ,  4D025BA13 ,  4D025BB02 ,  4D025BB09 ,  4D025BB18 ,  4D025CA10 ,  4D025DA10