酸化錫膜の製造方法および酸化錫膜の製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015783
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】四塩化錫と水との反応を利用して酸化錫膜を常圧CVD法により形成する方法であって、装置周辺の風や気圧変動の影響を受けず、膜厚等を均一にすることができ、さらに、所定寸法に切断されたガラス基板に酸化錫膜を形成する場合にも好適な方法の提供。【解決手段】四塩化錫と水とを反応させて一方向に移動するガラス基板上に酸化錫膜をCVD法により形成する酸化錫膜の製造方法であって、予め四塩化錫を含有するガスと水を含有するガスとを混合し、得られた四塩化錫および水を含有するガスを実質的に乱流で吐出し、ガラス基板上に酸化錫膜を形成することを特徴とする酸化錫膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

四塩化錫と水とを反応させて一方向に移動するガラス基板上に酸化錫膜をCVD法により形成する酸化錫膜の製造方法であって、予め四塩化錫を含有するガスと水を含有するガスとを混合し、得られた四塩化錫および水を含有するガスを実質的に乱流で吐出し、ガラス基板上に酸化錫膜を形成することを特徴とする酸化錫膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , C03C 17/245 , C23C 16/40 , G02F 1/1343 , H01B 13/00 503

FI (5件)：

H01L 31/04 M , C03C 17/245 Z , C23C 16/40 , G02F 1/1343 , H01B 13/00 503 B

Fターム (30件)：

2H092HA04 , 2H092MA07 , 2H092MA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 4G059AA08 , 4G059AC12 , 4G059EA02 , 4G059EB01 , 4K030AA02 , 4K030BA16 , 4K030BA45 , 4K030BB01 , 4K030BB13 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030DA05 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030JA10 , 4K030LA01 , 4K030LA16 , 5F051FA03 , 5F051FA19 , 5F051FA24 , 5F051FA30 , 5F051GA03 , 5G323BA03 , 5G323BB03

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