厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013151
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203249
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】ウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法を提供する。【解決手段】計測光源11からの計測光を光カプラ12で分岐して、一方をプローブヘッド13から半導体ウエハW及びエッチング液層Eに照射して反射光とし、他方を参照光生成部14に導いて参照光とする。その反射光と参照光とを光カプラ12で結合して、光検出器15で干渉光を検出する。そして、厚み算出部16において、干渉光の光強度と参照光路長との相関による光強度分布を求め、参照光路長が小さい側から2番目及び3番目の光強度ピークの光路長差から半導体ウエハWの厚みを求める。

請求項（抜粋）：

エッチング液を用いたウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測するための厚み計測装置であって、計測光を供給する計測光源と、前記計測光源からの前記計測光を分岐させる光分岐手段と、前記光分岐手段で分岐された前記計測光の一方を、計測対象である前記半導体ウエハに対して出力させて、前記エッチング液が供給されているエッチング面側から照射する光出力手段と、前記光出力手段から照射された前記計測光が前記エッチング液または前記半導体ウエハによって反射された反射光を入力させる光入力手段と、前記光分岐手段で分岐された前記計測光の他方を、光路長が可変に構成された参照用光路を通過させて、参照光路長が設定された参照光を生成する参照光生成手段と、前記光入力手段からの前記反射光と、前記参照光生成手段からの前記参照光とを結合させて干渉光とする光結合手段と、前記光結合手段からの前記干渉光を検出する光検出手段と、前記参照光生成手段で設定された前記参照光路長と、前記光検出手段で検出された前記干渉光の光強度との相関を示す光強度分布において、設定された閾値よりも大きい光強度を有する複数の光強度ピークのうち、前記参照光路長が小さい側から2番目及び3番目の前記光強度ピーク間での前記参照光路長の光路長差を用いて前記半導体ウエハの厚みを求める厚み算出手段とを備えることを特徴とする厚み計測装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01B 9/02 , G01B 11/02 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/66 P , G01B 9/02 , G01B 11/02 G , H01L 21/306 U

Fターム (34件)：

2F064AA00 , 2F064EE01 , 2F064GG02 , 2F064GG24 , 2F064HH01 , 2F064HH05 , 2F064JJ01 , 2F065AA30 , 2F065BB01 , 2F065CC19 , 2F065DD16 , 2F065FF52 , 2F065FF65 , 2F065HH13 , 2F065JJ01 , 2F065JJ09 , 2F065JJ15 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL12 , 2F065NN20 , 2F065PP13 , 2F065QQ17 , 2F065QQ18 , 2F065QQ25 , 2F065QQ41 , 2F065SS03 , 2F065SS13 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DH03 , 5F043DD25 , 5F043EE40

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