特許

J-GLOBAL ID：200903059659696789

光起電力素子

発明者： 斉藤 恵志 ,  松田 高一 ,  宮本 祐介 ,  下田 寛嗣
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055730
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263734
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 長時間使用しても光劣化が少なく特性が安定した光起電力素子を得る。【構成】 導電性電極を有する基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶n型層(またはp型層)と非単結晶と非単結晶p型層(またはn型層)を積層してなるPinの構造を、少なくとも1構成以上積層して形成される光起電力素子において、前記i型層を、実質的に塩素を含有しないシラン系原料ガスとしたRFプラズマCVD法で形成したi型層と、塩素含有ガスを10%以下混合したシラン系原料ガスと水素ガスを原料ガスとしたMwプラズマCVD法で形成したi型層を積層する構成とする。

請求項（抜粋）：

導電性電極を有する基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶n型層(またはp型層)、非単結晶i型層、及び非単結晶p型層(またはn型層)を積層して成るpin構造を、少なくとも1構成以上積層して形成される光起電力素子において、前記i型層を、実質的に塩素を含有しないシラン系原料ガスを原料ガスとしたRFプラズマCVD法で形成したi型層(RF-i)と、塩素含有ガスを10%以下混合したシラン系原料ガスと水素ガスを原料ガスとしたMWプラズマCVD法で形成したi型層(MW-i)を積層して、構成した事を特徴とする光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 W