特許

J-GLOBAL ID：200903059662854859

容量素子及びその製造方法

発明者： 石黒 好裕 ,  松村 尊信
出願人/特許権者： 株式会社フルヤ金属
代理人 (1件)： 長南 満輝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131476
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329786
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 拡散防止膜を設けずに製造過程における熱処理時の容量絶縁膜からの拡散による反応を抑制し、性能の延命と製造工程の簡素化を可能とした容量素子とその製造方法を提供する。【解決手段】イリジウム合金、又は、第二元素としてRhを固溶範囲で含有し、更に第三元素と、この第二元素と前記第三元素との含有総量を固溶範囲内に抑えてなるイリジウム合金を用いて、絶縁性基板1上に形成される下部電極2と、この下部電極2上に強誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜3を介して形成される上部電極4との双方を形成することにより、従来構造の拡散防止膜18を設けずに製造過程における高温酸素雰囲気下での熱処理時に容量絶縁膜3の強誘電材料が下部、上部両電極2,4中に拡散することを防止する。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板と、この基板上に形成される下部電極と、この下部電極上に形成される高誘電率を有する強誘電体薄膜からなる容量絶縁膜と、この容量絶縁膜上に形成される上部電極と、を備える容量素子において、前記下部電極と上部電極のいずれか一方又は双方を、イリジウムを主成分とし、ロジウム、白金、ルテニウム、パラジウム、ニオブ、タンタル、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、イットリウム、ランタン、レニウム、クロム、バナジウム、モリブデン、タングステン、レニウム、オスミウムこれらいずれか一種以上を固溶体範囲内で含有するイリジウム合金を用いて形成してなることを特徴とする容量素子。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C ,  H01G 4/06 102

Fターム (27件)：

5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC30 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA25 ,  5F083HA00 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33