特許

J-GLOBAL ID：200903059664018071

スパッタリングターゲット

発明者： 上田 忠雄 ,  竹村 一成 ,  玉井 宏
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-253482
公開番号（公開出願番号）：特開平6-081141
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウムスパッタリングターゲットに関し、LSIの配線の信頼性向上を目的とする。【構成】 アルミニウムスパッタリングターゲットの結晶構造を、そのスパッタ表面において、X線回折法で測定された結晶方位含有率の内(200)方位含有率が他の方位含有率よりも大きいように構成し、このターゲットから得られる配線膜の(111)方位含有率を高くして、形成されるLSIのアルミニウム配線の信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム又はアルミニウム合金から成り、そのスパッタ表面において、X線回折法で測定された結晶方位含有率の内(200)方位含有率が他の方位含有率よりも大きいことを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301