半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-096261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114722
出願日： 1991年04月02日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】主成分としてのAlと添加物としての少なくともSiを含む金属との合金でなる第1の金属層と、それを構成している合金を組成している金属の原子を通さない性質を有する高融点金属でなる第2の金属層と、高いオーミック接触性を呈する高融点金属でなる第3の金属層とが積層されている場合、熱処理が課されることによって、第1及び第2の金属層間にSi粒が成長し、エレクトロマイグレ-ション耐性及びストレスマイグレ-ション耐性が劣化していたのを、そのようなことのないようにする。【構成】第1の金属層7と第2の金属層8との間に第1の金属層と接触して介挿され、且つシリサイドを形成する自由エネルギが負である金属でなる金属層21、またはそのような金属層がシリサイド化されている、またはシリサイド化されている領域を有する金属層を有する。

請求項（抜粋）：

主面側に配線層に連結されるべき半導体領域を有し、且つSiでなる半導体基板を有し、上記半導体基板の主面上に、上記半導体領域を外部に臨ませる窓を有する絶縁層が形成され、上記絶縁層上に、上記半導体領域上からそれとオーミックに連結して延長し、且つ第1、第2及び第3の金属層が、それらの順に、上記第3の金属層を上記半導体基板側として、積層されている構成を有する配線層が形成されている構成を有し、上記配線層の第1の金属層が、主成分としてのAlと、添加物としての少なくともSiを含む金属との合金でなり、上記配線層の第2の金属層が、上記第1の金属層を構成している合金を組成している金属の原子を通さない性質を有する高融点金属でなり、上記配線層の第3の金属層が、上記半導体領域との間で、上記第2の金属層と上記半導体領域との間に比し、高いオーミック接触性を呈する高融点金属でなる半導体装置において、上記配線層が、上記第1の金属層と上記第2の金属層との間に上記第1の金属層と接触して介挿され、且つシリサイドを形成する自由エネルギーが負である金属でなる第4の金属層を有することを特徴と寸る半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/46 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-005521
特開平3-179745
特開昭61-258452

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