特許

J-GLOBAL ID：200903059666734513

半導体セラミック素子

発明者： 三原 賢二良 ,  新見 秀明 ,  高岡 祐一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177812
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037705
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 昇温状態における抵抗値が小さく電力消費量が低減されるとともに、大電流にも対応可能でありかつ特性値の安定した負の抵抗温度係数を有する半導体セラミック素子を得る。【構成】 希土類遷移元素酸化物から形成された負の抵抗温度係数を有するセラミック素体11の両端面に一対の外部電極7,8を形成し、一方端が外部電極7,8に電気的に接続され他方端がセラミック素体11内部に延びる内部電極3,4を、内部電極3,4がセラミック層を介して交互に積層されるように形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

希土類遷移元素酸化物から形成された負の抵抗温度係数を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の両端面に形成された一対の外部電極と、一方端が前記外部電極に電気的に接続され他方端が前記セラミック素体内部に延びる内部電極であって、前記一対の外部電極の一方及び他方からのものがセラミック層を介して交互に積層されている内部電極とを備える、半導体セラミック素子。

IPC (2件)：

H01C 7/04 ,  C04B 35/495

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-125803
  
• 特開昭51-080989
  
• 特開昭62-137804