特許
J-GLOBAL ID：200903059671582799
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096746
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299690
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 安価で大面積な、アモルファス基板上の半導体発光素子を提供する。【構成】 pn接合あるいはpin接合4,5を有する多結晶半導体発光デバイスが、金属をはじめとする導電性の膜2に覆われた種々の材料1あるいは導電性のバルク材料上に形成されたものであり、導電性膜あるいは導電性バルク材料を一方の電極とする半導体素子。
請求項（抜粋）：
pn接合もしくはpin接合に電流を流して発光させる半導体発光素子において、半導体発光素子が多結晶体もしくは多結晶膜から成り、基板は少なくとも半導体発光素子を形成する面が金属をはじめとする導電性の膜に覆われたアモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶、もしくは導電性のアモルファスあるいは多結晶のバルクであって、さらに導電性膜もしくは導電性バルクと接触する半導体多結晶体あるいは半導体多結晶膜がオーム性接合をし、前記多結晶体もしくは多結晶膜内に少なくともpn接合もしくはpin接合を有しており、pもしくはn型の一方の電極が基板上の導電膜あるいは導電性のバルクで、他方の電極が前記多結晶体もしくは多結晶膜の表面に形成したものであって、これらの電極間に電流を流してpn接合で発光させることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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