特許

J-GLOBAL ID：200903059674979690

半導体集積回路装置

発明者： 関 照夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-159660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073062
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】MOSトランジスタの製造ばらつきに対して動作モードを切り換えるための高電圧のばらつきが少なく、高電圧を微調整できること。【構成】動作モード切換回路4は、Nチャネル及びPチャネルMOSトランジスタ2,3を備えている。トランジスタ2のゲート及びドレインは外部入力端子1に接続されている。トランジスタ3のソースはトランジスタ2のソースに接続され、トランジスタ3はゲートに印加される制御電圧に基づいてドレインからモード切換信号MCを出力する。そして、トランジスタ3のゲートには入力端子1に通常使用電圧よりも大きな高電圧が印加されているとトランジスタ2,3がオン状態となる制御電圧Vref を印加する。

請求項（抜粋）：

ゲート及びドレインが外部入力端子(1)に接続されたNチャネルMOSトランジスタ(2)と、ソースが前記NチャネルMOSトランジスタ(2)のソースに接続され、ゲートに印加される制御電圧に基づいてドレインからモード切換信号を出力するためのPチャネルMOSトランジスタ(3)とを有する動作モード切換回路(4)を備え、前記PチャネルMOSトランジスタ(3)のゲートには前記外部入力端子(1)に通常使用電圧よりも大きな高電圧が印加されていると前記NチャネルMOSトランジスタ(2)及びPMOSトランジスタ(3)がオン状態となる制御電圧(Vref )を印加するようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

G06F 11/22 310 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G11C 29/00 303

FI (3件)：

G01R 31/28 ,  H01L 27/04 T ,  H01L 27/04 M