特許
J-GLOBAL ID：200903059689125697
半導体装置の製造方法及びその方法に使用する接着テープ並びにその方法によって製造される半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374364
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142207
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】低コストで薄型化が可能なリードレス構造であり、しかも強度的にも優れた表面実装型の半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】接着テープにおける接着剤層上に部分的に複数の導電部20を形成する基板作成工程、半導体素子10を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部20の上側と半導体素子10の電極11とをワイヤー30により電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子10とワイヤー30と導電部20とを封止樹脂40で封止して接着テープ上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着テープを分離するシート分離工程からなる製造方法であって、導電部20が張出部分20aを有した形状にすることで、導電部20と封止樹脂40との接合強度を高くする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
接着テープにおける接着面上に部分的に複数の導電部を少なくとも形成する基板作成工程、電極が形成されている少なくとも1つの半導体素子を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部の上側と半導体素子の上側にある電極とをワイヤーにより電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子とワイヤーと導電部とを封止樹脂で封止して接着テープ上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着テープを分離する接着テープ除去工程、ダイサーカット又はパンチングにより個片化する切断工程からなる半導体装置の製造方法であって、
前記接着テープとして、金属基材層の上に第一接着剤層、樹脂基材層、第二接着剤層が順次積層された多層構造で、そのうちの第一接着剤層が加熱により接着力を失う性質を有する接着 テープを使用し、
前記接着テープ除去工程では、所定の温度に加温することにより、接着テープにおける第一接着剤層の接着力を消失せしめて金属基材層を剥離させてから、樹脂基材層を第一接着剤層及び第二接着剤層と共に折返し剥離するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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