特許
J-GLOBAL ID:200903059695072708
光送受信モジュールの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-069823
公開番号(公開出願番号):特開2000-269586
出願日: 1999年03月16日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 面発光型半導体レーザとフォトダイオードとを同一半導体基板上に形成する光送受信モジュールの簡易な製造方法を提供する。【解決手段】 同時に形成した積層体の上部多層膜反射ミラー層内部に、エッチングストップ層として異性膜を予め設けておき、その後、面発光型レーザー側の上部多層膜反射ミラー層をマスクで保護し、フォトダイオード側の上部多層膜反射ミラー層のみを1度のエッチングでエッチングストップ層の手前まで削りとる。
請求項(抜粋):
面発光型半導体レーザとフォトダイオードとを同一半導体基板上に形成する光送受信モジュールの製造方法であって、半導体基板上に、下部多層膜反射ミラー層、量子井戸が形成された活性層を含む活性領域、及び前記下部多層膜反射ミラー層と共に共振器構造を構成する上部多層膜反射ミラー層を順に設けると共に、前記上部多層膜反射ミラー層を設ける際に、フォトダイオードとして使用する領域の前記上部多層膜反射ミラー層内部にエッチングストップ層を設ける積層工程と、前記フォトダイオードとして使用する領域を、エッチングストップ層表面が露出するまでエッチングするエッチング工程と、を含む光送受信モジュールの製造方法。
IPC (3件):
H01S 5/026
, H01L 31/10
, H01S 5/183
FI (3件):
H01S 3/18 616
, H01L 31/10 A
, H01S 3/18 652
Fターム (23件):
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NB01
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049QA11
, 5F049QA16
, 5F049QA18
, 5F049RA07
, 5F049SS04
, 5F049SZ16
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB13
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA29
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