特許

J-GLOBAL ID：200903059698297549

レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 坂田 和則
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251297
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093652
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】膜減りを抑制しつつ、レジストパターンを細線化する。【解決手段】化学増幅型レジスト膜2の露光を行なった後、化学増幅型レジスト膜2上に水溶性酸性ポリマー6を塗布し、水溶性酸性ポリマー6に含まれる酸を化学増幅型レジスト膜2に横方向から拡散させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストの露光処理に基づいて、前記化学増幅型レジストをパターニングする工程と、 前記パターニングされた化学増幅型レジストへの酸の拡散処理に基づいて、前記化学増幅型レジストを細線化する工程とを備えることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/38 511 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570

Fターム (9件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096FA10 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18