特許
J-GLOBAL ID：200903059699600180
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160403
出願日： 1983年08月25日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【構成】 CMOS構造の薄膜トランジスタにおいて、Pチャンネル型薄膜トランジスタおよびNチャンネル型薄膜トランジスタのチャンネル領域の膜厚を、Pチャンネル型薄膜トランジスタの空乏層の広がり得る最大幅またはNチャンネル型薄膜トランジスタの空乏層の広がり得る最大幅のいずれより薄く形成した薄膜トランジスタ。【効果】 Pチャンネル型薄膜トランジスタとNチャンネル型薄膜トランジスタとで特性のそろっており、かつON電流が大きく、OFF電流が小さいCMOS薄膜トランジスタを構成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたP型不純物がドープされたソース、ドレイン領域を有してなるPチャンネル型薄膜トランジスタと、N型不純物がドープされたソース、ドレイン領域を有してなるNチャンネル型薄膜トランジスタとを有し、該Pチャンネル型薄膜トランジスタおよび該Nチャンネル型薄膜トランジスタのチャンネル領域の膜厚は、該Pチャンネル型薄膜トランジスタの空乏層の広がり得る最大幅または該Nチャンネル型薄膜トランジスタの空乏層の広がり得る最大幅のいずれよりも薄く形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 27/092
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 C
, H01L 27/08 321 C
, H01L 29/78 311 H
