特許
J-GLOBAL ID：200903059709613308
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274025
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213696
出願日： 1988年10月21日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 従来の自励発振現象を有する半導体レーザでは、n形ドーパントの可飽和吸収に基づくモードホップ抑制効果があり、戻り光雑音抑制が十分ではなかった。【解決手段】 自励発振するように作製された屈折率導波型半導体レーザのn形クラッド層のドーパントをSiにすることにより、可飽和吸収効果をなくし、即ち、モードホップ抑圧効果をなくして、戻り光雑音を低減する。
請求項（抜粋）：
p形クラッド層とn形クラッド層とで挟まれた活性層と、前記p形クラッド層内又は端部に形成され、共振器方向に伸びたストライプ状欠如部を有するn形電流阻止層とを備え、前記活性層の光導波路の実効屈折率差△nが、自励発振現象を起こすよう小さく選定されてなる半導体レーザ素子において、前記n形クラッド層に含まれる主たる不純物がSiであることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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