特許

J-GLOBAL ID：200903059712334347

半導体装置とその製造方法

発明者： 吉岡 心平 ,  斉藤 康人
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049280
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子を有する半導体装置で、特にパワーエレクトロニクスの分野で使用されているサイリスタやパワートランジスタ等の実装構造で、配線インダクタンスが低く、かつ、熱応力を小さくした接合部を有する半導体装置と製造方法。【解決手段】 半導体スイッチング素子1、21、22とそれが実装される配線基板2、24との配線で、半導体スイッチング素子1、21、22の正極電極4、23,27又は制御電極8、30、31又は負極電極5、10、43、44と配線基板2、24との接続は、その内少なくとも一つは細導線を編み上げた導体7、26、28により行なう。

請求項（抜粋）：

一表面に正極電極と制御電極とが形成され他表面に負極電極が形成された半導体スイッチング素子と、金属導体が設けられ且つ前記半導体スイッチング素子が実装される配線基板とを具備し、この配線基板の金属導体の、前記正極電極及び制御電極及び負極電極の少なくとも一つに対する電気的接続は、細導線を編み上げた導体により行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18