多層配線基板の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231831
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125332
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜として用いた多層配線基板の製造において、層間接続の歩留まりを向上させる製造方法を提供する。【構成】基板1上に有機高分子材料からなる絶縁膜2を形成した後、下地導体膜3aおよび導体6aからなる1層目の配線を形成する工程と、有機高分子材料からなる層間絶縁膜7を形成する工程と、バイアホール8a,8b,8c,8dを形成する工程と、下地導体膜3bを形成した後、ポジ型のフォトレジスト層4を形成する工程と、配線パターンを露光する工程と、バイアホール部分をバイアホール設計径Xよりも大きい露光径Zでさらに露光する工程と、ポジ型のフォトレジスト層4を現像して配線パターンを形成し、露出した下地導体膜上に導体6bを形成して2層目の配線を形成する工程と、フォトレジスト4、および導体6bの形成されていない下地導体膜3bを除去する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

次の工程よりなる多層配線基板の製造方法。(a)基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上に1層目の配線を形成する工程(b)1層目の配線を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間絶縁膜を形成する工程(c)層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程(d)層間絶縁膜およびバイアホール部分に下地導体膜を形成した後、ポジ型のフォトレジスト層を形成する工程(e)ポジ型のフォトレジスト層にフォトマスクを用いて配線パターンを露光する工程(f)バイアホール部分をバイアホール設計径よりも大きい露光径を有するフォトマスクを用いてさらに露光する工程(g)ポジ型のフォトレジスト層を現像して配線パターンを形成し、露出した下地導体膜上に導体を形成して2層目の配線を形成する工程(h)フォトレジスト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去する工程

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