特許
J-GLOBAL ID：200903059713822183
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072024
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152475
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱応力などの発生が少なく半導体素子の破壊が防止された半導体装置を提供する。【構成】 片面14に集積回路の回路パターンを設けたシリコン基板11の他面に複数の溝13a,13b,13c,13d,...を設け、その上に溝の片端部に交互に連通する貫通孔17a,17b,...,18a,18b,...及び他端部に交互に連通する貫通孔19a,19b,...,20a,20b,...を有するカバープレート16を張り合わせ、貫通孔17a,17b,...,20a,20b,...を取入口とし、貫通孔18a,18b,...,19a,19b,...を排出口として隣接する溝の流れが対向するように冷媒を通流させることによって、冷媒流路の上流と下流との間で生じる温度差が平均化されたものとなり、シリコン基板は温度勾配に基づく熱応力などの発生が少なくなり、破壊を防止することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板の一主面側に設けられた半導体素子と、前記基板の他主面側に該基板に熱的に接続された複数の冷媒流路とを備えてなり、前記冷媒流路の隣接する少なくとも一部の流路に冷媒を対向流として通流させることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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