半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027491
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の下層配線と上層配線との間に形成される層間絶縁膜表面の段差を小さくし、3層配線,4層配線などの多層配線におけるパターン形成を容易にする。【解決手段】ダミーパターン5を一辺が1μmの正方形の平面形状とし、配線を通すべき2μmピッチのグリッドの交点に配置するとともに、配線2の周囲1μm以内にはダミーパターン5を配置していない。これにより、配線2間の最短距離が4μm以上である場合に、少なくとも1つのダミーパターン5を設け、また、配線2間のスペースに占めるダミーパターン5の面積比を約25%としている。

請求項（抜粋）：

上層配線と下層配線との間に層間絶縁膜を形成し、前記下層配線間に前記下層配線のダミーパターンを形成した半導体装置であって、前記下層配線間のスペースの面積に対する前記下層配線間のスペースに含まれる前記ダミーパターンの面積の総和の割合を20%以上としたことを特徴とする半導体装置。

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