特許

J-GLOBAL ID：200903059715262240

半導体素子、特に直埋リッジレーザの製造法および該方法によって製造される素子

発明者： レオン・ゴールドステン ,  ドミニク・ボネビ
出願人/特許権者： アルカテル・エヌ・ブイ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012837
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007233
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子、特に直埋リッジレーザの製造法および該方法によって製造される素子を提供する。【構成】 本発明の方法の範囲において、ドープされた半導体被膜(10)は、該被膜と同一の導電型のドーパントによってドープされた半導体ベース(9)の乱れ表面(S)上に蒸着しなければならない。本発明によれば、該被膜の主層(28)を蒸着する前に、該被膜の平均濃度の2倍より大きいドーパント濃度を有する過ドープ層を蒸着する。本発明は特に光ファイバ通信システム用の半導体レーザの製造に応用される。

請求項（抜粋）：

- ある導電型のドーパントによってドープされ且つ乱れ表面(S)を有する半導体ベース(9)を形成する段階と、- 前記乱れ表面上に前記導電型と同様なドーパントによってドープされた半導体被膜(10)を蒸着する段階とを含んでおり、前記被膜(10)を蒸着する段階が、前記乱れ表面(S)付近で、前記導電型と同様なドーパントによりドープされ且つ前記被膜の平均ドーピング濃度の2倍より大きいドーピング濃度を有する過ドープ層(24)を蒸着する段階を含むことを特徴とする半導体素子の製造法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/13