フッ化物バルク単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167116
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351696
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】従来方法よりも簡単に、純度が低い(例えば、99.9重量%)級のフッ化物粉末原料を使って、高品質のフッ化物単結晶を製造することを可能とする製造方法を提供する。【解決手段】 10-6torr以上の高真空を保ちながら、粉末フッ化物原料を室温から500°C以上で所定の温度以下の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製炉内にフロン系ガスを導入し、融液又は溶液表面に発生する不純物および融液又は溶液内に存在する不純物と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに十分な時間反応させることによって不純物を除去し、得られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化物バルク単結晶を製造することを特徴とするフッ化物バルク単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

10-6torr以上の高真空を保ちながら、粉末フッ化物原料を室温から500以上で所定範囲以下の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる水分・酸素を除去し、原料を融解後、作製炉内にフロン系ガスを導入し、融液あるいは溶液表面に発生する不純物および融液あるいは溶液内に存在する不純物と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに十分な時間反応させることによって不純物を除去し、得られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化物バルク単結晶を製造することを特徴とするフッ化物バルク単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/12 , C01D 1/24 , C30B 27/02 , B01J 19/06

FI (4件)：

C30B 29/12 , C01D 1/24 , C30B 27/02 , B01J 19/06

Fターム (9件)：

4G075AA23 , 4G075BB03 , 4G075CA02 , 4G075CA65 , 4G077AA02 , 4G077BE02 , 4G077CD01 , 4G077CF10 , 4G077EA08

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