特許

J-GLOBAL ID：200903059717313062

有機薄膜トランジスタ及び有機発光表示装置

発明者： 姜 泰 旻 ,  安 澤 ,  徐 ▲ぶん▼ 徹
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335718
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184574
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】有機半導体層のパターニング工程時に、既に形成された電極配線を保護することができる有機半導体層パターン構造を備えた有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極113と、ゲート電極113と絶縁されたソース電極111及びドレイン電極112と、ゲート電極113と絶縁され、ソース電極111及びドレイン電極112と接触する有機半導体層180と、を備え、有機半導体層180は、ソース電極111及びドレイン電極112を覆う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 前記ゲート電極と絶縁されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触する有機半導体層と、を備え、 前記有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612A ,  H01L29/28 100A ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z

Fターム (37件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN39 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-316145   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機半導体装置及びそれを有する表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-027883   出願人：株式会社リコー