特許

J-GLOBAL ID：200903059717577698

シリコン含有ソースガスを用いる窒化タングステン付着方法

発明者： ミークル スコット ,  ドーン トラング
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-519053
公開番号（公開出願番号）：特表平9-509288
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】窒化タングステンを付着する方法は窒化タングステンを付着させるためのシリコン系ガスを有するソースガス混合物を用いて付着基板を積層する。非平面記憶キャパシタは窒化タングステンキャパシタ電極を有する。

請求項（抜粋）：

窒化タングステンを付着する方法であって、 前記窒化タングステンを付着することができる、シリコンを含むソースガス混合物を用意し、 付着基板をある温度にし、 前記ソースガス混合物に圧力を加えて該ソースガス混合物からの窒化タングステンを前記付着基板上に付着せしめる工程とを備えたことを特徴とする方法。

IPC (8件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136288   出願人：富士通株式会社