特許
J-GLOBAL ID：200903059721517845
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191287
公開番号（公開出願番号）：特開2000-019710
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 斜方照明を用いたパターン露光において、アパーチャを切り換えることなく、パターンの解像度を向上させる。【解決手段】 半導体ウエハ上に塗布されたフォトレジスト膜に斜方照明を用いた露光処理によってホールパターンを転写するマスク1において、そのホールパターンを転写するための実パターン2Hの周囲に、逆相ハーフトーン領域3A、同相ハーフトーン領域3Bおよび遮光領域4を設けることで擬似的な繰り返し領域を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
超解像マスク上のホールパターンに対応する集積回路パターンを紫外線露光光を用いて非小σ照明して、その透過光を縮小投影光学系を通して半導体集積回路ウエハ上のフォトレジスト膜上に縮小投影することにより、上記ホールパターンを上記半導体集積回路ウエハ上に転写する半導体集積回路装置の製造方法において、上記超解像マスクは以下の構成よりなる:(a) 第1及び第2の主面を有する透明基板;(b) 上記透明基板の上記第1の主面上に設けられた第1の実透過領域;(c) 上記透明基板の上記第1の主面上の上記第1の実透過領域の周辺に設けられた上記第1の実透過領域に対して同位相の同位相ハーフトーン領域。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 C
, H01L 21/30 515 F
, H01L 21/30 528
2H095BA02
, 2H095BA07
, 2H095BB02
, 2H095BB03
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046BA08
, 5F046CB17
