特許

J-GLOBAL ID：200903059722790499

細孔を有する構造体及びその製造方法

発明者： 田 透 ,  安居 伸浩 ,  福谷 和彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063540
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342791
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：

【要約】【課題】 ナノホール底部が下地層まで貫通し、かつ陽極酸化アルミナナノホール層と下地金属層との密着性に優れたナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に陽極酸化法により形成される陽極酸化アルミナナノホール層15を具備するナノ構造体において、前記陽極酸化アルミナナノホール層15の下部に微細孔16を有する接合層13を介して下地層12が設けられ、且つ前記陽極酸化アルミナナノホール層15が前記微細孔を介して前記下地層12まで貫通しており、且つ前記微細孔を有する接合層がSiを主成分として含有するナノ構造体。

請求項（抜粋）：

孔を有する構造体であって、基板、アルミナホールを有する第1の層、及び該基板と該第1の層の間に位置する第2の層を備え、該第2の層は、シリコンを含み構成され、且つ前記アルミナホールよりも孔径の小さい孔を有することを特徴とする構造体。

IPC (6件)：

C25D 11/04 305 ,  B81C 1/00 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/855

FI (6件)：

C25D 11/04 305 ,  B81C 1/00 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/855

Fターム (11件)：

5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006CB08 ,  5D006DA08 ,  5D006FA07 ,  5D112AA02 ,  5D112AA18 ,  5D112BA02 ,  5D112BA06 ,  5D112BA09 ,  5D112EE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ナノ構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276427   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284483   出願人：住友電気工業株式会社