特許

J-GLOBAL ID：200903059730578580

フラッシュメモリの信頼性増強方法

発明者： バン、アミール ,  リツィン、シモン ,  アルロド、イダン
出願人/特許権者： ラマト アット テル アビブ ユニバーシティ リミテッド
代理人 (2件)： 大西 正悟 ,  山口 修之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-516804
公開番号（公開出願番号）：特表2006-527901
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】フラッシュメモリを高信頼度で読取る方法を提供する。【解決手段】マルチレベルのフラッシュメモリセルがセルの閾値電圧と複数の整数基準電圧および分数基準電圧と比較することで読取られる。マルチレベルのフラッシュメモリのセルは、各有意レベルでのデータと余剰ビットとを用いて集合的にプログラムされ、好ましくは各有意レベルにおけるデータと余剰ビットとの数が異なる。セルは、余剰ビットに従って各有意レベルでビットを修正し高い方の有意レベルを調整することにより、低い方から高い方の有意レベルに向かって集合的に読取られる。セルの閾値電圧と分数基準電圧との比較にしたがって最低の有意ビットの修正調整を実行する。

請求項（抜粋）：

(a)フラッシュメモリセルの閾値電圧を少なくとも1つの整数基準電圧と比較するステップと、 (b)フラッシュメモリセルの閾値電圧を少なくとも1つの分数基準電圧と比較するステップと、 を有することを特徴とするフラッシュメモリセルの読取り方法。

IPC (1件)：

G11C 16/02

FI (2件)：

G11C17/00 641 ,  G11C17/00 613

Fターム (9件)：

5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125DA01 ,  5B125EG16 ,  5B125EH04 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリおよびデータ更新回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-339115   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置およびその再書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261921   出願人：シャープ株式会社
• 多値半導体記憶装置及びその書き込み方法と読み出し方法並びに記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-261041   出願人：新日本製鐵株式会社