特許
J-GLOBAL ID：200903059731444013
半導体製造装置及び方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048892
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267897
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】強度、エッチング特性などの他の特性を劣化させずに、金属汚染によるデバイス特性の劣化を防ぐ。【構成】箱状のチャンバ-1内部には、電極5が配置されている。電極5は、スイッチ6を介して高周波電源7に接続されている。電極5上には、ウェハ-4が搭載される。チャンバ-1の内壁面、即ちプラズマに晒される部分は、高純度の炭素薄膜により覆われている。チャンバ-1は、例えばアルミニウム合金1Aから構成される。
請求項（抜粋）：
被処理体が載置され、スイッチを介して高周波電源に接続される電極と、箱状であって、その内部に前記電極が配置され、少なくともプラズマに晒される部分が高純度の炭素薄膜により覆われているチャンバ-とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H05H 1/46
