特許

J-GLOBAL ID：200903059734330884

シリコン膜の製造方法およびそれにより得られるシリコン膜

発明者： 伊藤 忠 ,  元廣 友美 ,  東 博純 ,  村崎 俊一 ,  山口 耕治 ,  福島 英沖
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  愛知製鋼株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-155248
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332497
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 基板上にシリコンを堆積成長させるシリコン膜の製造方法であって、緻密性が高く、厚さ方向および面内方向の均一性にも優れたシリコン膜を、生産性高く製造することが可能な製造方法を提供すること。また、光感度が高く良質のシリコン膜を提供すること。【解決手段】 シリコン原子を含む化学種の活性種を、電子線注入により生じせしめた水素を含むガスのプラズマ中を通過させた後に基板表面に供給し、該基板上にシリコンを堆積成長させることを特徴とするシリコン膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン原子を含む化学種の活性種を、電子線注入により生じせしめた水素を含むガスのプラズマ中を通過させた後に基板表面に供給し、該基板上にシリコンを堆積成長させることを特徴とするシリコン膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C01B 33/029 ,  C23C 14/32 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/203 Z ,  C01B 33/029 ,  C23C 14/32 F ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V

Fターム (48件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072FF01 ,  4G072FF04 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ01 ,  4G072LL01 ,  4G072RR25 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029DD05 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA08 ,  5F051CA09 ,  5F051CA12 ,  5F051CA15 ,  5F051CA20 ,  5F051CA24 ,  5F051CA26 ,  5F051CB14 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051GA03 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB42 ,  5F103DD16 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR02