特許
J-GLOBAL ID:200903059738476433

集積回路分離構造の製造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉武 賢次 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-517425
公開番号(公開出願番号):特表2003-507887
出願日: 2000年08月18日
公開日(公表日): 2003年02月25日
要約:
【要約】改善された集積回路分離構造の提供を含む、集積回路を提供する技術が開示されている。この技術は、電気的に相互に絶縁された多数の基板領域を定めるために集積回路基板に多数のトレンチを形成することを含んでいる。誘電性材料は、第1のエッチング対堆積率を有する高濃度プラズマに晒されることによりトレンチ内に堆積される。高濃度プラズマは、少なくともトレンチへの部分的な充填の後に、基板上に誘電性材料を積み重ねるために、第1のエッチング対堆積率よりも大きい第2のエッチング対堆積率で調整される。誘電性材料の一部分は、ワークピースを平面化するために除去される。例えば絶縁ゲート電界効果トランジスタのような多数の構成素子が、トレンチ間の基板領域に連続的に形成される。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの集積回路を製造するためにワークピースとしての基板に多数のトレンチを形成し、 前記トレンチを前記基板の中で互いに電気的に分離されるように多数の領域に定義し、 少なくとも約5のエッチング対堆積率をもって誘電性材料を同時に堆積しスパッタエッチングすることにより、前記複数のトレンチを少なくとも部分的に充填し、 ワークピースとしての前記基板を平面化することを備える方法。
IPC (2件):
H01L 21/76 ,  H01L 21/31
FI (2件):
H01L 21/31 C ,  H01L 21/76 L
Fターム (19件):
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032CA16 ,  5F032DA01 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA21 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09

前のページに戻る