特許

J-GLOBAL ID：200903059744005833

化学増幅型感放射線レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 前川 康成 ,  吉田 勝
出願人/特許権者： 日本原子力研究所
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313869
公開番号（公開出願番号）：特開2004-151184
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】電子ビームを含む放射線に対して高い感度、高い解像度を有する膨潤のない解像性能の優れた化学増幅型感放射線レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】イオン化ポテンシャルが小さくイオンビームに対する感度の高い芳香族構造が2つ以上連結または縮環している基を有するスルホニウム塩およびヨードニウム塩を含むことを特徴とする化学増幅型感放射線レジスト組成物を用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記の式で表されるスルホニウム塩(式中、R1は芳香族構造が2つ以上連結または縮環している基、R2は炭素数1〜20の有機基、Xはスルホン酸アニオン、nは1〜3)を含有することを特徴とする化学増幅型感放射線レジスト材料。

IPC (1件)：

G03F7/004

FI (1件)：

G03F7/004 503A

Fターム (14件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB16 ,  2H025FA17