特許

J-GLOBAL ID：200903059746139217

半導体装置の製造方法

発明者： 河西 正礼 ,  福羅 満徳
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283786
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121457
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜形成後、ボンディングパッド領域内の絶縁膜と金属パッド電極表面に凹凸を形成することにより絶縁膜と金属パッド電極及び、金属パッド電極とワイヤとの接触面積を広げることで絶縁膜と金属パッド電極及び、金属パッド電極とワイヤとの接着性を向上する。【解決手段】 半導体基板1上に絶縁膜2を形成後、絶縁膜2にエッチングマスクとしてフォトレジスト6を塗布し、ボンディングパッド領域内にエッチングマスクパターンを形成する。次に、フォトレジスト6によるエッチングマスクパターンを介してエッチングを行うことでボンディングパッド領域内の絶縁膜2表面に凹凸を形成する。さらに、金属パッド電極3を絶縁膜2の表面の凹凸形状が金属パッド電極3表面に反映されるように形成する。その後、保護膜4を形成し、ワイヤ5を金属パッド電極4に接続を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成した後、ボンディングパッド領域内の絶縁膜表面に凹凸を形成するためのエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを介してボンディングパッド領域内の絶縁膜をエッチングして凹凸を形成する工程と、ボンディングパッド領域内に絶縁膜の凹凸形状により表面が凹凸形状となる金属パッド電極パターンを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 604 R